[19p-C309-1~16] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

[19p-C309-13] Two-dimensional hole transport in undoped GaSb quantum well

〇Kenji Shibata^1,2, Karalic Matija², Mittag Christopher², Hug Michael², Tschirky Thomas², Reichl Christian², Ito Hiromu¹, Hashimoto Katsushi^3,4, Tomimatsu Toru³, Hirayama Yoshiro^3,4,5, Wegscheider Werner², Ihn Thomas², Ensslin Klaus² (1.Tohoku Inst. Tech., 2.ETH Zurich, 3.Tohoku Univ., 4.CSRN Tohoku Univ., 5.CSIS(Core Research Cluster) Tohoku Univ.)

Keywords:quantum well, transport property

GaSbはスピン軌道相互作用が非常に強い系であり、スピントロニクス材料として有望である。また、同材料を用いたInAs/GaSb二重量子井戸構造は、2次元トポロジカル絶縁体とそのトポロジカル量子計算への応用で近年注目を集めている。我々は前回、ノンドープGaSb量子井戸における電界誘起２次元ホール系の実現について報告したが、今回はより詳細な伝導特性評価について報告する。