[19p-C309-1~16] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[19p-C309-13] ノンドープGaSb量子井戸における2次元ホール系の磁場中輸送特性

〇柴田 憲治^1,2、Karalic Matija²、Mittag Christopher²、Hug Michael²、Tschirky Thomas²、Reichl Christian²、伊藤 煕¹、橋本 克之^3,4、冨松 透³、平山 祥郎^3,4,5、Wegscheider Werner²、Ihn Thomas²、Ensslin Klaus² (1.東北工大、2.スイス連邦工科大、3.東北大理、4.東北大CSRN、5.東北大CSIS（世界トップレベル研究拠点）)

キーワード：量子井戸、輸送特性

GaSbはスピン軌道相互作用が非常に強い系であり、スピントロニクス材料として有望である。また、同材料を用いたInAs/GaSb二重量子井戸構造は、2次元トポロジカル絶縁体とそのトポロジカル量子計算への応用で近年注目を集めている。我々は前回、ノンドープGaSb量子井戸における電界誘起２次元ホール系の実現について報告したが、今回はより詳細な伝導特性評価について報告する。