2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[19p-C309-1~16] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

2019年9月19日(木) 13:45 〜 18:30 C309 (C309)

井原 章之(情通機構)、中岡 俊裕(上智大)

14:30 〜 14:45

[19p-C309-2] GaAs/AlAs 多重量子井戸の励起子共鳴励起下での励起子分布

小島 磨1、井山 華澄1、喜多 隆1、Hogg Richard2 (1.神戸大院工、2.グラスゴー大)

キーワード:励起子、テラヘルツ電磁波、量子井戸

我々は、半導体多重量子井戸中に閉じ込められた励起子を使って差周波混合によりテラヘルツ電磁波を発生させる研究を行っている。この実験では、一つの励起子をレーザー光で共鳴励起し、もう一方のレーザー光で励起子または電子-正孔対を励起する。そこで、二つのレーザーによる分極の形成を理解する必要があると考え、今回、共鳴励起条件下における発光スペクトルの形状解析から、二つ
の分極の形成について議論することを目的に研究を行った。