[19p-E201-1~7] 宇宙実験と磁場中実験で拓く重力制御科学

[19p-E201-4] 微小重力および強磁場環境における化合物半導体結晶成長

〇稲富 裕光^1,2、Velu Nirmal Kumar¹、岡野 泰則³、早川 泰弘⁴ (1.JAXA、2.総研大、3.阪大、4.静大)

キーワード：化合物半導体、結晶成長、制御された対流

多元系バルク結晶は組成比を変えることにより構造や電気的・光学的特性を制御出来るため、素子用基板材料として期待されている。しかし、地上では任意組成にて均一組成・低欠陥のバルク単結晶を育成することは極めて困難である。そのため、外力場の制御による結晶成長がキー技術と考えられる。著者らがこれまでに進めてきた微小重力および強磁場環境を利用した関連研究の経緯そしてInGaSb結晶成長研究の最新成果を紹介する。