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一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[19p-E204-1~12] 3.13 半導体光デバイス

2019年9月19日(木) 13:45 〜 17:15 E204 (E204)

荒井昌和(宮崎大)

16:30 〜 16:45

[19p-E204-10] 高Al組成AlGaN半導体を用いる波長選択型紫外光検出器の開発

〇(M2)奥村貴大¹、鳥羽隆一²、田邉匡生¹、大橋隆宏²、小山裕¹ (1.東北大院工、2.東北大院環)

キーワード：AlGaN