[19p-E204-1~12] 3.13 半導体光デバイス

[19p-E204-12] フェムト秒パルスX線励起に対するGaAsの高速近赤外光応答

〇(M1)近藤 啓介^1,2、西村 渉^1,2、鈴木 基寛³、安田 伸広³、福山 祥光³、久保田 雄也^2,3、富樫 格^2,3、長谷川 尊之¹、田中 義人^1,2 (1.兵県大院物質理、2.理研/SPring-8、3.高輝度光科学研究センター)

キーワード：XFEL、半導体

パルスX線を照射したときの半導体のバンド構造変化を調べるために、バンドギャップ近傍の高速光学応答を計測した。試料は膜厚10ミクロンのGaAsであり、励起光にX線自由電子レーザーパルス、プローブ光に広帯域化した近赤外域パルス光を用いて、その過渡透過スペクトルを得た。X線パルス励起後ピコ秒の時間スケールでスペクトル変化が見られた。これらの結果とバンドギャップシフトや分布変化の関係について議論する。