[19p-E205-1~19] 3.6 超高速・高強度レーザー

[19p-E205-18] デュアルコム分光法を用いた非ドープおよびドープシリコンの光学特性評価

〇(M1)福田 達博¹、渡邉 紳一¹、岡野 真人¹ (1.慶大理工)

キーワード：デュアルコム、シリコン

デュアルコム分光法は位相と振幅の情報を取得することができるため複素誘電率を直接測定することができ、新しい物性評価法として期待されている。半導体シリコンはドーピングを行うことで電気伝導性を制御することができるため、非ドープ・ドープシリコンに対してデュアルコム分光測定を行い、その光学特性の違いを評価した。測定の結果、ドープの有無によって透過率が大きく異なるという結果が得られた。