[19p-E206-1~19] 3.15 Silicon photonics

[19p-E206-12] Investigation of dispersion characteristics of 1.3-μm band SiN waveguides

〇(M1)Yuta Yokomura¹, Takuya Mitarai¹, Tomohiro Amemiya^1,2, Nobuhiko Nishiyama^1,2 (1.TokyoTech, 2.IIR)

Keywords:optical waveguide, silicon nitride, wavelength dispersion

近年、光通信においてWDMシステムが多く用いられているが、Si系外部共振器と量子ドットレーザを用いた、より温調制御を緩和可能な低消費電力WDMシステムが提案されている。我々は、本システムにおいてレーザと外部共振器の結合損失を低減するために Siと比較して屈折率の低く、将来的には通信用光コム光源にも適応できる可能性のあるSiN導波路の導入を検討している。今回、SiN導波路において、1.3-μm帯の分散特性を検討したので、ご報告する。