[19p-E206-1~19] 3.15 シリコンフォトニクス

[19p-E206-12] 1.3-μm帯SiN導波路における分散特性の検討

〇(M1)横村 優太¹、御手洗 拓也¹、雨宮 智宏^1,2、西山 伸彦^1,2 (1.東工大工、2.東工大未来研)

キーワード：光導波路、窒化ケイ素、波長分散

近年、光通信においてWDMシステムが多く用いられているが、Si系外部共振器と量子ドットレーザを用いた、より温調制御を緩和可能な低消費電力WDMシステムが提案されている。我々は、本システムにおいてレーザと外部共振器の結合損失を低減するために Siと比較して屈折率の低く、将来的には通信用光コム光源にも適応できる可能性のあるSiN導波路の導入を検討している。今回、SiN導波路において、1.3-μm帯の分散特性を検討したので、ご報告する。