[19p-E206-1~19] 3.15 シリコンフォトニクス

[19p-E206-7] 【注目講演】Ge/Siリブ導波路構造を用いた電界吸収型光変調器の検討Ⅲ

〇藤方 潤一¹、野口 将高¹、川下 和樹²、片廻 陸²、小野 英輝¹、志村 大輔¹、高橋 博之¹、八重樫 浩樹¹、石川 靖彦²、中村 隆宏¹ (1.PETRA、2.豊橋技科大)

キーワード：Ge電界吸収型変調器、フランツ・ケルディッシュ効果

SiベースのPN接合リブ導波路上にGe層をエピタキシャル成長ししたGe/Si電界吸収型変調器において，CバンドおよびLバンド波長帯での動作およびGe層の結晶品質等を解析し，動作波長帯との相関について検討した．また，56Gbpsでの高速動作を実証した．