[19p-E206-1~19] 3.15 シリコンフォトニクス

[19p-E206-9] 引張り歪層によるSi基板上InP小片接合界面の垂直応力抑制

〇菊地 健彦^1,3、白 柳³、御手洗 拓矢³、八木 英樹¹、新田 俊之¹、古川 将人²、雨宮 智宏^3,4、西山 伸彦^3,4 (1.住友電工伝送デバイス研、2.住友電工解析研、3.東工大工、4.東工大未来研)

キーワード：III-V/Siハイブリッド集積、プラズマ活性化接合、チップオンウェハー接合

III-V族半導体とSiフォトニクスのハイブリッド集積は次世代の光集積回路実現に有望である。我々はこれまでにSi基板上へのInP小片のプラズマ活性化接合において、InP小片の接合面への引張り歪エピタキシャル層成長による接合強度向上を実験的に示してきた。今回我々は接合界面の垂直応力に着目して解析を行い、引張り歪に起因したInP小片の反り量変化がチップ端の垂直応力を補償することで接合強度が向上することを明らかにした。