[19p-E214-1~12] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

△ [19p-E214-8] Phonon Spectrum of Bulk SiGe at Low Energy Side Observed by Inelastic X-ray Scattering

〇Ryo Yokogawa^1,2, Haruki Takeuchi¹, Kazutoshi Yoshioka¹, Yasutomo Arai³, Hiroshi Uchiyama⁴, Motohiro Tomita^1,5, Atsushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.JSPS Research Fellow DC, 3.JAXA, 4.JASRI, 5.Waseda Univ.)

Keywords:Inelastic X-ray scattering, SiGe, Local vibrational mode

SiGeは次世代半導体および熱電デバイスへの応用が期待されているもののフォノン散乱機構は複雑である。ラマン分光法によって光学・音響フォノンのみならず幾つかの局在振動モードが報告されているが、未だ不明瞭な部分が多い。そこで本研究では、SiGeにおけるフォノン散乱機構を理解するためにX線非弾性散乱法を用いて評価を行った結果、低エネルギー側に新たなフォノンスペクトルを出現することを発見したので報告する。