[19p-E304-1~13] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[19p-E304-12] Film Characteristics deposited by Minimal Fab TiN Reactive Sputtering Tool (3)

〇Shuichi Noda¹, Kazuhiro Koga², Kazumasa Nemoto¹, Yuuki Yabuta³, Naoko Yamamoto³, Ryuichiro Kamei³, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL, 3.Seinan-kogyo)

Keywords:minimalfab, TiN reactive sputter, TiN gate SOI CMIS

ミニマルTiNメタルゲートSOI CMOSプロセス（テクノロジー2018）に適用するTiN反応性スパッタ装置およびプロセス開発を進めている。TiN反応性スパッタではプロセス中の酸素を極力低減する必要があるが、今回、生産に適用できる膜質安定性を得るための、ウエハ搬送を含む自動シーケンスの最適化を検討した結果を述べる。