[19p-E304-1~13] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[19p-E304-4] Preliminary Examination of Resist Patterning toward Realization of 0.5 μm Design Rule in Minimal Fab

〇kazushige sato^1,3, Kazuhiro Koga¹, Shuichi Noda^1,2, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.MINIMAL, 2.AIST, 3.Sakaguchi E.H VOC Corp.)

Keywords:Minimal Fab

ミニマルファブにおける0.5μmデザインルール実現に向け、既存のミニマルファブのホトリソグラフィー技術でレイアウト0.5μmのViaが形成できるか検討した。今回、露光装置の露光量を変えることによりレイアウト0.5μmのViaを光学顕微鏡で観察した結果、開口していることを確認した。