[19p-E304-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[19p-E304-6] ミニマルファブを用いたSOI-CMOS 集積回路の試作

〇森川 剛一¹、岡本 祥吾¹、新藤 浩之¹、クンプアン ソマワン²、原 史朗² (1.宇宙航空研究開発機構、2.産業技術総合研究所)

キーワード：ミニマルファブ、集積回路、SOI-CMOS

ミニマルファブによる宇宙用集積回路製造の実現に向けて、フルミニマルSOI-CMOS、2層アルミ配線プロセスを適用した集積回路を設計試作し、電気特性評価を行った。その結果、集積回路の実証に成功し、宇宙向けの少量多品種の集積回路製造におけるミニマルファブ方式の有効性を確認した。