[19p-E304-1~13] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[19p-E304-6] Fabrication of Integrated Circuit by Minimal SOI CMOS process

〇Koichi Morikawa¹, Shogo Okamoto¹, Hiroyuki Shindo¹, Somawan Khumpuang², Shiro Hara² (1.JAXA, 2.AIST)

Keywords:minimalfab, Integrated Circuit, SOI-CMOS

ミニマルファブによる宇宙用集積回路製造の実現に向けて、フルミニマルSOI-CMOS、2層アルミ配線プロセスを適用した集積回路を設計試作し、電気特性評価を行った。その結果、集積回路の実証に成功し、宇宙向けの少量多品種の集積回路製造におけるミニマルファブ方式の有効性を確認した。