[19p-E304-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[19p-E304-9] ミニマルファブを用いた2層Al配線プロセスの開発

〇古賀 和博¹、森川 剛一²、加瀬 雅³、佐藤 和重¹、クンプアン ソマワン^1,3、原 史朗^1,3 (1.ミニマルファブ推進機構、2.宇宙航空研究開発機構、3.産総研)

キーワード：ミニマルファブ、ビア、ビアチェーン抵抗

これまでAlゲートバルクCMOSやTiNゲートSOI CMOSプロセスのブラッシュアップに取り組んできたが、このCMOSを基本デバイスとして集積化デバイスやセンサー等への適用フェーズにきている。集積化や複雑な回路構成に対応する為には多層配線が必須となる。多層配線では下層Alと上層Alとのビアコンタクトの問題が重要で、今回、ビアサイズが1～4μm角の2層Al配線のプロセスを検討した。