[19p-E305-1~15] 13.3 絶縁膜技術

[19p-E305-12] GeO₂/Ge界面におけるHf-Post Metallization Annealingの導入

〇(M1)堀口 遥¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹ (1.東京農工大院工)

キーワード：MOS構造、PMA、Ge