2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[19p-E305-1~15] 13.3 絶縁膜技術

2019年9月19日(木) 13:45 〜 17:45 E305 (E305)

入沢 寿史(産総研)、小林 清輝(東海大)

17:15 〜 17:30

[19p-E305-14] 新規電子デバイス応用に向けたGeゲートスタックの低温(<300°C)形成

〇(M2)井芹 健人1、温 偉辰1、山本 圭介1、王 冬1、中島 寛2 (1.九大総理工、2.九大・グローバルイノベーションセンター)

キーワード:半導体、Ge、ゲートスタック