[19p-E305-1~15] 13.3 絶縁膜技術

[19p-E305-4] マイクロ波励起プラズマを用いた原子層堆積SiO₂膜の電気特性改善におけるO₂プラズマの役割

〇鈴木 俊哉¹、Holm Niklas¹、Kilpi Väinö¹、Blomberg Tom¹ (1.Picosun Oy)

キーワード：原子層堆積法、酸化シリコン、PEALD

原子層堆積法 (ALD) はその膜厚均一性や段差被膜性の高さから、ゲート酸化膜やデバイスの保護膜形成などに応用が期待されている。しかしながらALDはプロセス温度が低く反応性が低いため、膜中の不純物を取り除くことが難しく、高絶縁特性を得ることが困難である。我々はこの課題を克服するために酸化剤であるプラズマを高密度化及び伝達効率の改善を行い、SiO₂膜の電気特性にどのように影響するかを調査した。