2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[19p-E305-1~15] 13.3 絶縁膜技術

2019年9月19日(木) 13:45 〜 17:45 E305 (E305)

入沢 寿史(産総研)、小林 清輝(東海大)

14:15 〜 14:30

[19p-E305-3] 室温OER-CVDで成膜したSiO2膜におけるプロセス条件の影響

萩原 崇之1、亀田 直人1、三浦 敏徳1、森川 良樹1、花倉 満1、小杉 亮治2、中村 健2、野中 秀彦2 (1.明電舎、2.産総研)

キーワード:オゾン酸化、CVD、SiO2膜

室温成膜技術は、有機ELディスプレイ等フレキシブルエレクトロニクス分野で用いられる耐熱性の低いフレキシブル基板上でのデバイス作製プロセスに必要である。我々は、CVD成膜温度の低温化のため、高純度(約100%)オゾンガスとエチレンガスの反応によるOHラジカル生成技術 (OER法)をCVDに適用し、室温でのSiO2成膜を可能にした。今回、プロセス条件を変えて成膜し、室温成膜で求められる膜質特性について報告する。