[19p-E307-1~15] 9.4 熱電変換

△ [19p-E307-12] Zn誘起層交換によるp型/n型Si_1-xGe_x薄膜の合成とフレキシブル熱電応用

〇辻 美紀江¹、末益 崇¹、都甲 薫^1,2 (1.筑波大院　数理物質、2.JSTさきがけ)

キーワード：フレキシブル熱電、シリコンゲルマニウム、Zn誘起層交換

SiGe混晶は宇宙用の熱電変換素子として高い実績を持つ．我々はAl誘起層交換を用いることで，高性能化と低温プロセスを両立しプラスチック上で最高水準の p型SiGe熱電薄膜を合成した．一方 Alがアクセプタとして働くことからn型SiGe膜の合成は困難であった．今回，Zn誘起層交換を検討するとともにp型／n型SiGe膜の低温合成と優れた熱電性能を実証したので報告する．