[19p-E307-1~15] 9.4 熱電変換

[19p-E307-2] 自己組織的に転位を導入したSi/CrSi₂コンポジットの熱電特性

〇大石 佑治¹、江畑 大輝¹、牟田 浩明¹ (1.阪大工)

キーワード：シリコン系熱電材料、転位、格子熱伝導率

これまでの研究により、Pを過剰にドープしたSiにCoを添加して液体急冷法と放電プラズマによってSi/CoSi₂コンポジットとすることで、Si母相中に転位を導入して格子熱伝導率を低減できることが示されている。そこで、Co以外の元素でも転位を導入できるかを検証するために、Crを用いて同様の手法でSi/CrSi₂コンポジットを作製し、転位の形成と格子熱伝導率の低減を狙った。その結果、Si/CrSi₂でも同様に転位の形成と格子熱伝導率の低減に成功した。