[19p-E308-1~13] 17.3 層状物質

[19p-E308-10] Si(111)微傾斜基板のオフ方向が2D-In₂Se₃薄膜の結晶方位に与える影響

〇川勝 桂¹、Yu-Cian Wang¹、小島 信晃¹、大下 祥雄¹、山口 真史¹ (1.豊田工大)

キーワード：III-VI 族半導体、層状物質、MBE成長

これまで我々は, 二次元化合物半導体In₂Se₃のMBE成長において,成長基板にSi(111) 4°微傾斜基板(オフカット方向[11-2])を用いることで双晶ドメイン成長を抑制ができたことを報告した.今回, 双晶ドメイン成長の抑制において,Si(111)微傾斜基板のオフカット方向([11-2]方向と[1-10]方向)における表面ステップ構造の違いに依存性があることを報告する.