[19p-E308-14~17] 17.2 グラフェン

[19p-E308-15] h-BN/Cu(111)上のグラフェン成長初期過程の理論検討

〇影島 博之¹、Wang Shengnan²、日比野 浩樹³ (1.島根大院自然科学、2.NTT物性基礎研、3.関西学院大理工)

キーワード：グラフェン、成長、第一原理計算

二次元物質であるグラフェンやh-BNは、独特な物性のために広範な興味を集めている。グラフェンは半導体であるがh-BNは絶縁体であるため、これら2つの物質のヘテロ構造はエレクトロニクス応用で新しい世界を切り開くものである。このようなヘテロ構造をボトムアップ的に制御して形成することがどの程度可能であるのかを確かめるため、我々はh-BN/Cu(111)上でのグラフェンの成長初期過程を第一原理計算を用いて検討した。比較対象として、ベアなCu(111)表面とグラフェン/Cu(111)についての検討も行った。