[19p-E308-1~13] 17.3 Layered materials

[19p-E308-3] Fabrication of hafnium diselenide thin film by using metal source

〇Takuma Ozawa¹, Yu Abe¹, Noriyuki Urakami^1,2, Yoshio Hashimoto^1,2 (1.Shinshu Univ., 2.Research Initiative for supra-Materials)

Keywords:Layered materials, Transition metal dichalcogenides

二セレン化ハフニウム（HfSe₂）は単原子層において高い電子移動度が予測されると同時に低オフ電流を見込めるバンドギャップを有する層状化合物半導体であり、低消費電力電子素子材料として期待されている。本報告では、石英アンプル内に基板と原料を真空封入し加熱することにより基板上に合成を促す封緘法(セレン化熱処理)でのHfSe₂ 薄膜の合成について報告する。