[19p-E308-1~13] 17.3 Layered materials

[19p-E308-9] Fabrication of solution processed WS₂ thin film

〇Kenichi Haga¹, Takahiro Nakajima¹, Yuki Kobayashi¹, Eisuke Tokumitsu¹ (1.JAIST)

Keywords:TMDC, WS2, solution process

遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）は高い移動度を示し、単層においてもバンドギャップを有する２次元半導体材料として期待されているが、将来的には産業応用に適した大面積・ボトムアップの成膜技術が必要である。溶液法は、剥離・転写なしで目的基板に直接・大面積にTMDC薄膜を形成でき、印刷エレクトロニクスへの応用展開も期待されている。溶液法による作製条件を検討し、WS₂薄膜作製に成功したことを報告する。