[19p-E310-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

[19p-E310-15] Design of Deep Ultraviolet Second Harmonic Generation Device with Double -layer Layer Polarity Inverted AlN Waveguide

〇Asahi Yamauchi¹, Tenta Komatsu¹, Kazuhisa Ikeda¹, Kenjiro Uesugi², Kanako shojiki², Hideto Miyake², Toshiki Hikosaka³, Shinya Nunoue³, Takaya Morikawa¹, Yasufumi Fujiwara¹, Masahiro Uemukai¹, Tomoyuki Tanikawa¹, Ryuji Katayama¹ (1.Osaka Univ., 2.Mie Univ., 3.Toshiba Corp.)

Keywords:nonlinear optical device

我々は新規構造デバイスとして、AlNの極性を反転して3層積層した横型擬似位相整合（ QPM） 構造を有する導波路第二高調波発生（ SHG） デバイスを提案してきた。また本研究室では作製が容易な波長400 nm帯2層極性反転積層AlN導波路SHGデバイスを作製し、青色SHGの評価の実証に成功した。本研究では、現時点で作製可能な深紫外光発生2層極性反転積層AlN導波路SHGデバイスの設計を行ったので報告する。