[19p-E310-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-E310-16] Ⅳ族結晶配向層を用いたガラス基板上への窒化物半導体成長

〇小林 篤¹、中野 はるか¹、上野 耕平¹、藤岡 洋^1,2 (1.東大生研、2.JST-ACCEL)

キーワード：窒化物半導体、スパッタリング