[19p-E310-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

[19p-E310-3] Time-resolved photoluminescence spectroscopy for a GaN crystal by multiple-photon excitation (I)

〇Tomoyuki Tanikawa¹, Kazunobu Kojima², Takumi Kasuya², Shigefusa Chichibu², Atsushi Tanaka³, Yoshio Honda², Hiroshi Amano³, Masahiro Uemukai¹, Ryuji Katayama¹ (1.Osaka Univ., 2.IMRAM, Tohoku Univ., 3.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:Gallium Nitride, Multiphoton-Excitation Photoluminescence, Time-Resolved Photoluminescence

多光子励起過程を利用した時間分解PL測定を行い、転位の集中箇所と発光寿命との対応を調べた。HVPE法で作製されたc面GaN結晶を用い、バンド端近傍発光のマッピング測定を行い、転位集中領域と30 μm離れた箇所の発光寿命を室温で測定した。転位集中領域は、暗点が集中しており非輻射再結合確立が高く、発光寿命は0.25 nsecと短かった。転位集中領域から30 μm離れた領域では転位密度は10⁷ cm^-2程度で、発光寿命は1.42 nsec程度だった。