[19p-E311-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-E311-1] メモリ層にイオン液体を用いた導電性ブリッジメモリの高速動作

〇佐藤 洋士^1,2、木下 健太郎¹、本間 祐晟²、島 久²、内藤 泰久²、秋永 広幸²、伊藤 敏幸³ (1.東理大理、2.産総研、3.鳥取大)

キーワード：[bmim][Tf2N]、CBRAM