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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-E311-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2019年9月19日(木) 13:15 〜 17:00 E311 (E311)

島久(産総研)、鶴岡徹(物材機構)

14:45 〜 15:00

△ [19p-E311-7] PtまたはTiN下部電極上の遷移金属酸化物の結晶性および抵抗変化特性

〇山田和尚¹、西佑介¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：抵抗変化メモリ、窒化チタン、結晶性