2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[19p-E312-1~13] 6.2 カーボン系薄膜

2019年9月19日(木) 13:30 〜 17:15 E312 (E312)

藤原 正澄(大阪市立大)、水落 憲和(京大)

13:45 〜 14:00

[19p-E312-2] 高温高圧処理によるNVセンター形成効率

樋口 泰成1,2、小野田 忍2、齋藤 寛之2、西原 遊3、加田 渉1、大島 武2、花泉 修1 (1.群馬大学、2.量研、3.愛媛大学 GRC)

キーワード:ダイヤモンド、NVセンター

ダイヤモンド中の窒素・空孔(NV)センターは、微小な物理量を計測するための量子センサーとしての利用が期待されている。センサー感度向上には、配向制御された高濃度のNVセンターを形成することが重要である。本研究では電子線照射したダイヤモンドに異方的及び等方的高温高圧処理を行い、NVセンターの形成効率を調べた。異方的高温高圧処理を行った試料は、加えた変位量の増大に伴いNVセンターの形成効率が減少した。