[19p-E312-1~13] 6.2 カーボン系薄膜

△ [19p-E312-3] 窒素終端(111)ダイヤモンドを用いて作製した高配向2次元NVアンサンブル

〇(B)金久 京太郎¹、立石 哲也¹、薗田 隆弘¹、Buendia Jorge¹、蔭浦 泰資^1,5、川勝 一斗¹、畑 雄貴¹、永岡 希朗¹、石井 邑¹、谷井 孝至¹、小野田 忍²、春山 盛善³、Stacey Alastair⁴、寺地 徳之⁵、磯谷 順一⁶、河野 省三⁷、川原田 洋^1,7 (1.早大、2.量研、3.産総研、4.メルボルン大、5.NIMS、6.筑波大、7.材研)

キーワード：NVセンタ、窒素終端、ダイヤモンド

NVセンタを用いた磁気センサの磁場感度向上のためには、高配向なNVアンサンブルの作製が望ましい。そこで、今回我々は窒素ラジカル暴露法を用いて超高純度(111)ダイヤモンド上に窒素終端を形成し、その後、CVD法を用いて高純度ダイヤモンド膜を追成長した。追成長前後のPLマッピング比較から、NVアンサンブルが生成しており、また、ODMR測定により、作製したNVアンサンブルが配向していることを確認した。