[19p-E313-1~9] 15.5 Group IV crystals and alloys

[19p-E313-1] Determination of Ge Fraction Using Local Vibrational Modes in Raman Spectra of Ge-rich SiGe

〇Ryo Yokogawa^1,2, Haruki Takeuchi¹, Kazutoshi Yoshioka¹, Atsushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.JSPS Research Fellow DC)

Keywords:Raman spectroscopy, SiGe, Local vibrational mode

SiGeは高移動度かつ低熱伝導率を有し、次世代半導体および熱電デバイスへの応用に期待されている。これらのデバイスに適用するためには、温度や結晶性等の物性パラメータを最適化する必要があり、中でもGe濃度は格子定数や熱伝導率に直接起因するため高精度な評価が求められる。本研究ではラマン分光法で観測される局在振動モードに着目し、歪と独立して高濃度SiGe中におけるGe濃度を高精度に算出できるかを検討した。