2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.5 IV族結晶,IV-IV族混晶

[19p-E313-1~9] 15.5 IV族結晶,IV-IV族混晶

2019年9月19日(木) 13:30 〜 15:45 E313 (E313)

黒澤 昌志(名大)

15:15 〜 15:30

[19p-E313-8] 歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造の反転キャリアのHall移動度評価

〇(M2)浪内 大地1、澤野 憲太郎2、各川 敦史1、佐野 雄一1、泉 大輔1、有元 圭介1、山中 淳二1、原 康祐1、中川 清和1 (1.山梨大学、2.東京都市大総研)

キーワード:Hall移動度、歪みSi、Hall効果

CMOSデバイスの高性能化、低消費電力化を実現するために、正孔移動度を向上させる必要がある。(110)面を表面に有する伸張歪みSiは正孔有効質量を無歪みSiの半分以下にできるという計算結果がある。本研究では、ゲート電極付きHall Barを用いてゲート電圧印加下においてHall測定を行い、正孔移動度の評価を試みた。Siに比べ歪みSiデバイスの方が高移動度である事を確認した。また歪みSiが薄い方が移動度向上に有効であった。