[19p-E313-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [19p-E313-9] 歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造p-MOSFETにおける電界効果移動度の歪みSi膜厚依存性

〇(B)藤澤 泰輔¹、各川 敦史¹、浪内 大地¹、斎藤 慎吾¹、佐野 雄一¹、泉 大輔¹、山中 淳二¹、原 康祐¹、澤野 憲太郎²、中川 清和¹、有元 圭介¹ (1.山梨大学、2.東京都市大総研)

キーワード：歪みSi、移動度

CMOSデバイスの高性能化・低消費電力化を実現するためには、正孔移動度の向上が必要である。(110)面上に形成される伸長歪みSiは正孔が高い移動度を示すことが報告されている。特に、歪みSi層の膜厚は、デバイス特性を決定する上で重要なパラメータとなる。これまでの研究で、歪みSiの臨界膜厚について調査を行った。本研究では、歪みSi層の膜厚が異なるp-MOSFETを作製し、電界効果移動度の膜厚依存性を調べた。