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[19p-E314-2] フォトンブリーディングデバイスに発現する巨大磁気光学効果の理論
キーワード：ドレスト光子援用アニール、磁気光学効果、フォトンブリーディングデバイス
ドレスト光子援用アニールにより，直接遷移型のみならず間接遷移型半導体からも高効率の発光ダイオードが作製される．このデバイスの発光波長は半導体のバンドギャップでなくプロセス時の照射光で制御されるのでフォトンブリーディング（PB）デバイスという．驚くべきことにPBデバイスには巨大磁気光学効果が発現する．本発表はオフシェル成分をふくむ電磁場の全自由度を原因として扱える非線型非共鳴の応答理論に基づきこの磁気光学効果を解析する．