[19p-PA1-1~10] 3.1 Basic optics and frontier of optics

[19p-PA1-9] Electron transport in the quantum Hall regime under optical vortex irradiation

〇Junki Fushimi¹, Oto Kenichi^1,2, Yasuhiro Yamada¹, Mino Hirofumi^1,3, Omatsu Takashige^2,4 (1.Dept. Phys. Chiba Univ., 2.MCRC, 3.CLAS, 4.Dept. Eng. Chiba Univ.)

Keywords:Vortex beam, semiconductor, Quantum Hall effect

量子ホール状態下のGaAs/ AlGaAsヘテロ構造2次元電子系に照射する光渦の軌道角運動量を変化させた際の磁気抵抗の変化ΔRを測定した。励起光は極低温でのGaAsバンドギャップ付近の波長とし、試料端のエッジ状態に光渦を直接照射した。ランダウ準位の占有数に対応してΔRの値に変化がみられ、これは光渦の軌道角運動量の変化に対応した電子励起や散乱の変化が捉えられているものと考えられる。この他、軸対称偏光モードの光での結果も報告する