[19p-PA7-1~10] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[19p-PA7-10] Dependence of electrode size on operation energy in Cu₂GeTe₃ phase change memory

〇(M1)Taira Iijima¹, Daisuke Ando¹, Yuji Sutou¹, Jun Seop An², Yun Heub Song² (1.Tohoku Univ., 2.Hanyang Univ.)

Keywords:chalcogenide materials

相変化メモリの低消費電力での動作には相変化材料の融点が低いことが求められる。実用材であるGe₂Sb₂Te₅(GST)は融点が高く、結晶化温度が低いという課題があり、我々のグループでは低融点、高結晶化温度であるCu₂GeTe₃(CGT)を提案している。CGT相変化メモリにおける動作エネルギーの電極面積依存性が明らかになっていないため調査したところ、CGT相変化メモリの方がGST相変化メモリに比べ動作エネルギーに及ぼす電極面積依存性が強いことがわかった。