[19p-PA7-1~10] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[19p-PA7-9] Cyclic voltammetry and effect of gamma-ray irradiation in GeTe thin films

〇(M1)Tatsuya Watanabe¹, Hyoseong Park¹, Isao Yoda², Yoshinori Shohmitsu³, Shigeo Kawasaki³, Toshihiro Nakaoka¹ (1.Sophia Univ., 2.Tokyo Tech, 3.JAXA)

Keywords:germanium telluride, gamma-ray, cyclic voltammetry

Ge-(Sb)-Te薄膜は相変化メモリ等に応用されている代表的な相変化材料である。我々はGe-(Sb)-Te薄膜におけるAgの異常拡散を放射線センサーに応用する取り組みを報告してきた。本研究ではGeTe薄膜におけるAgの異常拡散に至る過程であるAgのイオン伝導に着目し、酸化還元電流においてガンマ線照射による変化を得たのでこれを報告する。