[19p-PB10-1~22] 13.9 化合物太陽電池

[19p-PB10-1] 表面活性化接合で形成したSi/GaAs界面の低温FIB法によるアトムプローブ評価

〇清水 康雄¹、海老澤 直樹¹、大野 裕¹、梁 剣波²、重川 直輝²、永井 康介¹ (1.東北大金研、2.大阪市大院工)

キーワード：アトムプローブ、集束イオンビーム、表面活性化接合

表面活性化接合法で形成したSi/GaAs界面に着目し，３次元アトムプローブ測定のための針状試料を集束イオンビーム（FIB）を用いて低温下（-150 °C）で加工し，接合界面の急峻性を調べることでFIB加工時の温度の影響を調べた．