The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

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Poster presentation

13 Semiconductors » 13.9 Compound solar cells

[19p-PB10-1~22] 13.9 Compound solar cells

Thu. Sep 19, 2019 4:00 PM - 6:00 PM PB10 (PB)

4:00 PM - 6:00 PM

[19p-PB10-11] Physical Properties of Ge Doped FeS2 Pyrite Thin Films

Ryosuke Sato1, Yasuaki Ishikawa1, Yukiharu Uraoka1 (1.NAIST)

Keywords:solar cell, thin films, sulfide

Iron Pyrite (以後FeS2) は,高い吸収係数 (α > 105 cm-1)を持ち,豊富な資源かつ非毒性元素から作製できる半導体であるため,次世代の薄膜太陽電池材料として注目されている.しかしながら,FeS2は単相の高品質な試料が難しいことから,太陽電池応用に至っていない.そこで本研究では,FeS2の高品質化を目指して,Geドーピング量を調節したFeS2の薄膜試料を作製し,その物性に関して評価した.