[19p-PB10-1~22] 13.9 化合物太陽電池

[19p-PB10-13] ミストCVD法によるCu₂Sn_1-xGe_xS₃薄膜の作製

〇吉久 史貴¹、木幡 真緒¹、田中 久仁彦¹ (1.長岡技大)

キーワード：Cu2Sn1-xGexS3、ミストCVD法、薄膜太陽電池

本研究では、ミストCVD法を用いて、Cu₂Sn_1-x Ge_xS₃(CTGS)薄膜の作製を試みた。ミストCVD法によって作製したCTGプリカーサを硫化することでCTGS薄膜を作製した。しかし、XRDによって、異相のピークが観測された。したがって、硫化条件の検討、Cu、Sn、Ge溶液の検討が必要である。