2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.9 化合物太陽電池

[19p-PB10-1~22] 13.9 化合物太陽電池

2019年9月19日(木) 16:00 〜 18:00 PB10 (第二体育館)

16:00 〜 18:00

[19p-PB10-18] 高温硫化を用いたCu2SnS3及び(Cu,Ag)2SnS3薄膜太陽電池の作製

渡邉 奏汰1、大橋 亮太1、大塚 招吾1、赤木 洋二2、山口 利幸3、中村 重之4、瀬戸 悟5、荒木 秀明1 (1.長岡高専、2.都城高専、3.和歌山高専、4.津山高専、5.石川高専)

キーワード:太陽電池、薄膜、硫化物

現在Naを添加したCu2SnS3 (CTS)及び(Cu,Ag)2SnS3 (CATS)薄膜太陽電池において4%を超える変換効率が報告されている。Na源として広く使われるSLG基板は軟化点が低く,600℃以上の高温での硫化による高効率化の検討は殆ど行われていない。本研究では,耐熱性のSiO2基板を用いてSiO2/ Mo上に作製したSn/Cu及びSn/Cu/Ag金属プリカーサにNaFを積層することでNa添加を行い,600ºC以上の硫化温度でのCTS,CATS薄膜の作製とそれを用いた太陽電池セルの光起電力特性の評価を行った。