2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.9 化合物太陽電池

[19p-PB10-1~22] 13.9 化合物太陽電池

2019年9月19日(木) 16:00 〜 18:00 PB10 (第二体育館)

16:00 〜 18:00

[19p-PB10-19] Ag-rich Ag8SnS6薄膜の作製と評価

赤木 洋二1、内村 友宏1、間 壱誠1、中村 重之2、荒木 秀明3、瀬戸 悟4、山口 利幸5 (1.都城高専、2.津山高専、3.長岡高専、4.石川高専、5.和歌山高専)

キーワード:化合物太陽電池

我々はAg8SnS6薄膜のI族の組成に着目して薄膜を作製し、評価を行った。出発原料のAg:Snは8.0-8.5:1とし、glass/SnS/Agプリカーサを成膜し、H2S 雰囲気中で1時間、熱処理を行った。その結果、Agの仕込み組成の上昇とともに、ほぼ単相のAg8SnS6薄膜が作製できた。光吸収係数は104cm-1、約1.3eVのバンドギャップが得られ、薄膜の表面を観察すると2〜2.5μm程度の結晶粒を得ることができた。