[19p-PB3-1~24] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19p-PB3-1] Electrical Characterization of n-Type Si-Doped β-Ga₂O₃ Homoepitaxial Films

〇Yoshitaka Nakano¹, Akira Toyotome¹ (1.Chubu Univ.)

Keywords:Ga2O3, thermal admittance spectroscopy, deep-level transient spectroscopy

本発表では、TAS法(Thermal Admittance Spectroscopy)とDLTS法(Deep-Level Transient Spectroscopy)法を用いて、HVPE(Halide Vapor Phase Epitaxy)法でβ-Ga₂O₃基板上に結晶成長したn型Siドープβ-Ga₂O₃ホモエピ膜の電気的評価を行ったので報告する。TAS測定では伝導帯下29meVに存在するSiドナー準位を検出した。また、DLTS測定では132meVの活性化エネルギーを有するブロードな欠陥準位を検出した。この欠陥準位は光容量過渡分光測定で検出された膜表面に近いほど高濃度化するEv+4.0eVの欠陥準位のテール部に相当し、n型活性化アニール時に生成された酸素空孔欠陥であると推測される。