1:30 PM - 3:30 PM
[19p-PB3-13] Effects of forming gas annealing on electrical properties of
Pt/ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTsⅡ
Keywords:semiconductor, GaN
ゲート金属にPtを用いた作製したPt/ALD- Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTに対し、フォーミングガス雰囲気中でのゲート金属形成後の熱処理(FG-PMA)がデバイスに及ぼす電気特性、化学的特性への影響の評価