[19p-PB3-1~24] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-PB3-13] Pt/ALD-Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼす
フォーミングガスアニールの効果Ⅱ

〇吉田 信輝¹、古岡 啓太¹、久保 俊晴¹、江川 孝志¹ (1.名工大)

キーワード：半導体、窒化ガリウム

ゲート金属にPtを用いた作製したPt/ALD- Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTに対し、フォーミングガス雰囲気中でのゲート金属形成後の熱処理(FG-PMA)がデバイスに及ぼす電気特性、化学的特性への影響の評価