[19p-PB3-1~24] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19p-PB3-15] Low Temperature Oxidation of GaN by High Pressure Water Vapor Annealing

〇Yuki Tada¹, Mutsunori Uenuma¹, Yasuaki Ishikawa¹, Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST)

Keywords:GaN, HPWVA, Low Temperature Oxidation

水を用いたGaNの酸化処理においては、超臨界条件において熱酸化よりも速いレートで酸化膜が形成される。しかし、表面ラフネスが大きくデバイスへの応用が困難である。一方で、高圧水蒸気処理では、基板表面に薄い酸化膜が形成され、表面ラフネスは小さい。本研究では、高圧水蒸気を用いた酸化処理によってGaN基板表面に酸化膜の形成を行い、得られた酸化膜を犠牲酸化膜へ応用する。